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全面提高系统设计能效  小型内置式电机应用之选

ST的绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 击穿电压为 350 V 至 1300 V，切换性能与低通态特性之间达到最佳匹配，可全面提高系统设计能效。 而ST的智能功率模块 (IPM)采用基于DBC的SDIP封装或者全模制3.5cm² SLLIMM-nano封装, 是小型内置式电机应用的理想之选。




          
  
                                            

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